参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | NTTFS5116PLTAG |
说明 | 功率MOSFET WDFN |
品牌 | ON(安森美) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 908 [库存更新时间:2025-04-03] |
FET类型 | P-Channel |
连续漏极电流Id | 5.7A(Ta) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 25nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1258pF @ 30V |
栅极电压Vgs | ±20V |
功率 | 3.2W(Ta),40W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 52 毫欧 @ 6A,10V |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
封装/外壳 | WDFN |
漏源极电压Vds | 60V |
连续漏极电流Id | 5.7A |