参数	值
产品	未分类
型号编码	NTD4969NT4G
说明	未分类   TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63 DPAK DPAK-4
起订量	2
最小包	2
现货	480 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	9.4A(Ta),41A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	9nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	837pF @ 15V
栅极电压Vgs	±20V
功率	1.38W(Ta),26.3W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	9 毫欧 @ 30A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
封装/外壳	DPAK
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	12.7A
26.3 W	Pd - 功率消耗
封装/外壳	DPAK-4
系列	NTD4969N
互导 - 最小值	36 S
最低工作温度	- 55 C
标准包装数量	2500
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30 V
连续漏极电流Id	12.7 A
Rds On(Max)@Id,Vgs	19 m0hms
配置	Single
栅极电压Vgs	1.8 V
9 nC	Qg - 闸极充电
最高工作温度	+ 175 C