参数	值
产品	未分类
型号编码	NSBC115TPDP6T5G
说明	未分类   SOT-963 SOT-963
品牌	ON(安森美)
起订量	8000
最小包	8000
现货	16677 [库存更新时间：2025-04-04]
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	250mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA
功率	0.339W
FET类型	1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	100k
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	160 @ 5mA,10V
电阻器 - 基底（R1）	100 千欧
封装/外壳	SOT-963
封装/外壳	SOT-963