参数	值
产品	未分类
型号编码	NCP5111DR2G
说明	未分类   8-SOIC
品牌	ON(安森美)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5362 [库存更新时间：2024-05-31]
驱动配置	半桥
FET类型	同步
驱动器数	2
栅极类型	IGBT,N 沟道 MOSFET
电压-电源	10 V ~ 20 V
逻辑电压 -VIL，VIH	0.8V,2.3V
电流-峰值输出（灌入，拉出）	250mA,500mA
输入类型	非反相
高压侧电压-最大值（自举）	600V
上升/下降时间（典型值）	85ns,35ns
工作温度	-40°C ~ 125°C (TJ)
封装/外壳	8-SOIC
配置	Inverting, Non-Inverting
激励器数量	2
FET类型	High Side/Low Side
上升时间	160 ns
下降时间	75 ns
电源电压-最小	10 V
电源电流	5 mA
最大工作温度	+ 150 C