产品 |
型号 |
品牌 |
参数 |
锁存器 |
HEF4043BT,653 |
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封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:25ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:42.1,83 电源电压:4.5 - 15 输出电流:± 2.4mA 通道数:4 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74LVCH16373ADGG-QJ |
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封装/外壳:SOT362 传播延迟时间:2.4ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:104,37 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
锁存器 |
74LVC16373ADGG-Q1J |
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封装/外壳:SOT362 传播延迟时间:2.4ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:82,37 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
锁存器 |
74ALVCH16843DGGS |
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封装/外壳:SOT364 传播延迟时间:2.1ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:93 电源电压:2.3 - 3.6 输出电流:± 24mA 通道数:18 逻辑切换水平:LVTTL |
锁存器 |
74ALVCH16841DGGS |
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封装/外壳:SOT364 传播延迟时间:2.4ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:93 电源电压:2.3 - 3.6 输出电流:± 24mA 通道数:20 逻辑切换水平:LVTTL |
锁存器 |
74LVC573AT20-13 |
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封装/外壳:20-TSSOP |
锁存器 |
74LVC573AQ20-13 |
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封装/外壳:20-VFQFN |
锁存器 |
74LVC373AT20-13 |
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封装/外壳:20-TSSOP |
锁存器 |
74LVC373AQ20-13 |
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封装/外壳:20-VFQFN |
锁存器 |
HEF4043BT-Q100J |
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封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:25ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:84,42 电源电压:3.0 - 15 输出电流:± 2.4mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:4MHz |
锁存器 |
74HCT573D-Q100,118 |
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封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:85,61 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:8MHz |
锁存器 |
74HC573PW,118 |
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封装/外壳:SOT360 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:44.9,100 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
MC74LCX573DTR2G |
ON(安森美) |
系列:74LCX 逻辑类型:D 型透明锁存器 电路:8:8 输出类型:三态 电压-电源:2 V ~ 3.6 V 独立电路:1 Ohms 延迟时间-传播:1.5ns 电流-输出高,低:24mA,24mA 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 电压 - 电源:2 V ~ 3.6 V 延迟时间 - 传播:1.5ns 电流 - 输出高,低:24mA,24mA |
锁存器 |
74HCT573D |
Nexperia(安世) |
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锁存器 |
74HC573D |
Nexperia(安世) |
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锁存器 |
74HC373PW |
Nexperia(安世) |
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锁存器 |
74LVCH16373ADGV-QJ |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT480 传播延迟时间:2.4ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:104,37 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
锁存器 |
74LVC16373ADGV-Q1J |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT480 传播延迟时间:2.4ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:82,37 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
锁存器 |
74LVC16373ADGVJ |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT480 传播延迟时间:3.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:82,37 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 通道数:16 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74ALVCH16373DGG,11 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT362 传播延迟时间:2.1ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:82,35 电源电压:2.3 - 3.6 输出电流:± 24mA 通道数:16 逻辑切换水平:LVTTL |
锁存器 |
74AUP1G373GS,132 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT1202 传播延迟时间:8.5ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:272,177 电源电压:1.1 - 3.6 输出电流:1.9/-1.9mA 通道数:1 Ohms 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HC259PW,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:18ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:121,49.9 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HCT259D,652 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:20ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:47,88 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74HCT373BQ,115 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT764 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:78,50 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74HCT373D,653 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:85,61 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74HCT573D,653 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:61,85 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74LVT16373ADL,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT370 传播延迟时间:1.9ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:88 电源电压:2.7 - 3.6 输出电流:-32/+64mA 通道数:16 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74AHCT573PW,112 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT360 传播延迟时间:3.9ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:44,100 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 8mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74ALVT16373DGG,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT362 传播延迟时间:1.8ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:35,82 电源电压:2.3 - 3.6 输出电流:-32/+64mA 通道数:16 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74AUP1G373GM,115 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT886 传播延迟时间:8.5ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:145,290 电源电压:1.1 - 3.6 输出电流:1.9/-1.9mA 通道数:1 Ohms 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HC373D,652 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:12ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:61,85 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HC75D,653 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:11ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:77,35 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:4 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HC573D,653 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:61,85 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HCT259D,653 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:20ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:88,47 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74HCT573D,652 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:85,61 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74LVC373ADB,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT339 传播延迟时间:3ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:136 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:+/- 24mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74AVC16373DGG,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT362 传播延迟时间:2.0ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:37,82 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 12mA 通道数:16 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HC573BQ,115 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT764 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:79,50 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HC259PW,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:18ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:121,49.9 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HCT373D,652 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:85,61 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74HCT373PW,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT360 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:100,44.7 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74HCT373D,653 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:85,61 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74HCT573DB,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT339 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:136 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:+/- 6mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74LVC162373ADGG,11 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT362 传播延迟时间:3.2ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:82,37 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 12mA 通道数:16 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74AHCT573PW,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT360 传播延迟时间:3.9ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:44,100 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 8mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74HC373D,652 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:12ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:61,85 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HC259D,652 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:18ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:47,88 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HC373PW,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT360 传播延迟时间:12ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:100,44.7 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HC573PW,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT360 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:44.9,100 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HC573PW,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT360 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:44.9,100 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HCT573BQ-Q100,11 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT764 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:79,50 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:8MHz |
锁存器 |
74LVC16373ADL,112 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT370 传播延迟时间:3ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:88 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:+/- 24mA 通道数:16 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74LVT16373ADL,112 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT370 传播延迟时间:1.9ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:88 电源电压:2.7 - 3.6 输出电流:-32/+64mA 通道数:16 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
HEF4043BT,652 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:25ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:83,42.1 电源电压:4.5 - 15 输出电流:± 2.4mA 通道数:4 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74AHC573PW,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT360 传播延迟时间:4.2ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:44,100 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74ALVC573BQ,115 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT764 传播延迟时间:2.2ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:77,49 电源电压:1.65 - 3.6 输出电流:± 24mA 通道数:8 逻辑切换水平:LVTTL |
锁存器 |
74ALVT16373DGG,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT362 传播延迟时间:1.8ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:35,82 电源电压:2.3 - 3.6 输出电流:-32/+64mA 通道数:16 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74HC259BQ-Q100,115 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:18ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:89,57 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:8MHz |
锁存器 |
74HC259D,652 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:18ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:47,88 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HC573DB,112 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT339 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:136 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:+/- 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HC573DB,112 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT339 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:136 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:+/- 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HC573BQ,115 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT764 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:79,50 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HC75PW,112 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:11ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:111,39 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:4 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HCT573PW,112 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT360 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:100,44.9 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74LVC16373ADGG,112 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT362 传播延迟时间:3.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:37,82 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 通道数:16 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74LVC373APW,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT360 传播延迟时间:3.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:45,101 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74LVT573PW,112 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT360 传播延迟时间:2.7ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:44,100 电源电压:2.7 - 3.6 输出电流:-32/+64mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74LVCH162373ADGG:1 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT362 传播延迟时间:3.2ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:37,82 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 通道数:16 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74LVT162373DGG,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT362 传播延迟时间:2.5ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:35,82 电源电压:2.7 - 3.6 输出电流:± 12mA 通道数:16 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74AHC573BQ,115 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT764 传播延迟时间:4.2ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:48,77 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74ALVC573PW,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT360 传播延迟时间:2.2ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:44.2,100 电源电压:1.65 - 3.6 输出电流:± 24mA 通道数:8 逻辑切换水平:LVTTL |
锁存器 |
74AUP1G373GN,132 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT1115 传播延迟时间:8.5ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:171,275 电源电压:1.1 - 3.6 输出电流:1.9/-1.9mA 通道数:1 Ohms 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HC373D,653 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:12ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:61,85 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HC373DB,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT339 传播延迟时间:12ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:136 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:+/- 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HC573D,652 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:61,85 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HC573DB,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT339 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:136 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:+/- 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HCT259BQ-Q100,11 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:20ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:89,57 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:8MHz |
锁存器 |
74HCT573DB,112 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT339 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:136 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:+/- 6mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74LVC16373ADL,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT370 传播延迟时间:3ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:88 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:+/- 24mA 通道数:16 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74LVC16373ADGG,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT362 传播延迟时间:3.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:37,82 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 通道数:16 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74LVT573BQ,115 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT764 传播延迟时间:2.7ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:77,49 电源电压:2.7 - 3.6 输出电流:-32/+64mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74LVC373APW,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT360 传播延迟时间:3.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:45,101 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74LVT573PW,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT360 传播延迟时间:2.7ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:44,100 电源电压:2.7 - 3.6 输出电流:-32/+64mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74AHCT573BQ,115 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT764 传播延迟时间:3.9ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:77,48 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 8mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74ALVCH16373DGG:11 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT362 传播延迟时间:2.1ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:82,35 电源电压:2.3 - 3.6 输出电流:± 24mA 通道数:16 逻辑切换水平:LVTTL |
锁存器 |
74ALVT16373DL,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT370 传播延迟时间:1.8ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:88 电源电压:2.3 - 3.6 输出电流:-32/+64mA 通道数:16 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74ALVCH16374DGG:11 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT362 传播延迟时间:2.3ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:82,35 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:350MHz |
锁存器 |
74AUP1G373GF,132 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT891 传播延迟时间:8.5ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:290,145 电源电压:1.1 - 3.6 输出电流:1.9/-1.9mA 通道数:1 Ohms 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HC573D,653 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:61,85 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HCT573DB,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT339 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:136 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:+/- 6mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74HCT573PW,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT360 传播延迟时间:17ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:44.9,100 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74LVC373AD,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:3.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:61,85 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74LVT16373ADGG,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT362 传播延迟时间:1.9ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:35,82 电源电压:2.7 - 3.6 输出电流:-32/+64mA 通道数:16 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74LVT573D,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:2.7ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:60,84 电源电压:2.7 - 3.6 输出电流:-32/+64mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL |
锁存器 |
74HC373BQ-Q100,115 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT764 传播延迟时间:12ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:78,50 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:8MHz |
锁存器 |
74HC373PW,112 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT360 传播延迟时间:12ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:44.7,100 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HC259D,653 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:18ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:47,88 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HC373DB,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT339 传播延迟时间:12ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:136 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:+/- 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HC573DB,118 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT339 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:136 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:+/- 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |
锁存器 |
74HC573D,652 |
Nexperia(安世) |
封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:61,85 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS |