参数	值
产品	未分类
型号编码	MDU1512RH
说明	未分类   PowerDFN56 6.1x5.1x1.1mm 6.1mm
品牌	MAGNACHIP
起订量	0
最小包	0
现货	824 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	100 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	5 m0hms
栅极电压Vgs	2.7V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	PowerDFN56
晶体管配置	单
引脚数目	8
FET类型	增强
功率	69.4 W
宽度	5.1mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
正向二极管电压	1.1V
封装/外壳	6.1 x 5.1 x 1.1mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	2153 pF @ 15 V
典型关断延迟时间	39.4 ns
典型接通延迟时间	12.2 ns
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	6.1mm
高度	1.10mm
正向跨导	42S