参数	值
产品	未分类
型号编码	MDS3603URH
说明	未分类   SOIC 5x4x1.5mm 5mm
品牌	MAGNACHIP
起订量	0
最小包	0
现货	824 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	12 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	14.5 m0hms
栅极电压Vgs	3V
栅极电压Vgs	-25 V、+25 V
封装/外壳	SOIC
引脚数目	8
晶体管配置	单
FET类型	增强
功率	2.5W
漏源极电压Vds	1788 pF @ -15 V
典型关断延迟时间	61.6 ns
典型接通延迟时间	15.3 ns
宽度	4mm
高度	1.50mm
晶体管材料	Si
每片芯片元件数目	1 Ohms
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
封装/外壳	5 x 4 x 1.5mm
正向二极管电压	1V
正向跨导	28S
长度	5mm