参数	值
产品	未分类
型号编码	MDS1525URH
说明	未分类   SOIC 4.9mm 4.9x3.9x1.5mm
品牌	MAGNACHIP
起订量	0
最小包	0
现货	824 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	17 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	14.9 m0hms
栅极电压Vgs	2.7V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	SOIC
晶体管配置	单
引脚数目	8
FET类型	增强
功率	5.1 W
长度	4.9mm
最低工作温度	-55 °C
高度	1.50mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
正向跨导	27.8S
正向二极管电压	1.1V
最高工作温度	+150 °C
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	792 pF @ 15 V
典型关断延迟时间	21.1 ns
典型接通延迟时间	5.8 ns
宽度	3.9mm
封装/外壳	4.9 x 3.9 x 1.5mm