参数	值
产品	未分类
型号编码	MDP1921TH
说明	未分类   TO-220 10.67x4.83x16.51mm 10.67mm
品牌	MAGNACHIP
起订量	0
最小包	0
现货	824 [库存更新时间：2025-11-20]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	153 A
漏源极电压Vds	100 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	4.5 m0hms
栅极电压Vgs	4V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-220
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
功率	223 W
宽度	4.83mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
正向二极管电压	1.2V
封装/外壳	10.67 x 4.83 x 16.51mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	6750 pF @ 40 V
典型关断延迟时间	93 ns
典型接通延迟时间	30.4 ns
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	10.67mm
高度	16.51mm
正向跨导	120S