参数	值
产品	未分类
型号编码	MDP11N60TH
说明	未分类   TO-220 10.67mm 10.67x4.83x16.51mm
品牌	MAGNACHIP
起订量	0
最小包	0
现货	824 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	11 A
漏源极电压Vds	660 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	550 m0hms
栅极电压Vgs	5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-220
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
功率	182 W
长度	10.67mm
最低工作温度	-55 °C
高度	16.51mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
正向跨导	13S
正向二极管电压	1.4V
最高工作温度	+150 °C
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	1700 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	76 ns
典型接通延迟时间	38 ns
宽度	4.83mm
封装/外壳	10.67 x 4.83 x 16.51mm