参数	值
产品	未分类
型号编码	MDP18N50BTH
说明	未分类   TO-220 10.67mm 10.67x4.83x16.51mm
品牌	MAGNACHIP
起订量	0
最小包	0
现货	824 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	18 A
漏源极电压Vds	500 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	270 m0hms
栅极电压Vgs	4V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-220
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
功率	236 W
典型接通延迟时间	32 ns
典型关断延迟时间	222 ns
漏源极电压Vds	2490 pF @ 25 V
晶体管材料	Si
每片芯片元件数目	1 Ohms
最低工作温度	-55 °C
宽度	4.83mm
高度	16.51mm
正向跨导	13S
正向二极管电压	1.4V
长度	10.67mm
封装/外壳	10.67 x 4.83 x 16.51mm
最高工作温度	+150 °C