参数	值
产品	未分类
型号编码	MDF7N65BTH
说明	未分类   TO-220F 10.71mm 10.71x4.93x16.13mm
品牌	MAGNACHIP
起订量	0
最小包	0
现货	824 [库存更新时间：2025-11-22]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	7 A
漏源极电压Vds	650 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.35 0hms
栅极电压Vgs	4V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-220F
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
功率	42W
宽度	4.93mm
典型接通延迟时间	13.6 ns
典型关断延迟时间	57.6 ns
漏源极电压Vds	786 pF @ 25 V
晶体管材料	Si
最低工作温度	-55 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	10.71mm
高度	16.13mm
正向跨导	8.5S
正向二极管电压	1.4V
封装/外壳	10.71 x 4.93 x 16.13mm
最高工作温度	+150 °C