参数	值
产品	未分类
型号编码	MDF3N50TH
说明	未分类   TO-220F 10.71mm 10.71x4.93x16.13mm
品牌	MAGNACHIP
起订量	0
最小包	0
现货	824 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	2.8 A
漏源极电压Vds	500 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.5 0hms
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-220F
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
功率	30.5 W
最高工作温度	+150 °C
宽度	4.93mm
最低工作温度	-55 °C
高度	16.13mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
正向跨导	4.8S
长度	10.71mm
封装/外壳	10.71 x 4.93 x 16.13mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	285 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	14.6 ns
典型接通延迟时间	9 ns
正向二极管电压	1.4V