参数	值
产品	未分类
型号编码	MDF16N50GTH
说明	未分类   TO-220F 10.71mm 10.71x4.93x16.13mm
品牌	MAGNACHIP
起订量	0
最小包	0
现货	824 [库存更新时间：2025-11-23]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	16 A
漏源极电压Vds	550 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	350 m0hms
栅极电压Vgs	5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-220F
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
功率	49.4 W
典型接通延迟时间	46 ns
典型关断延迟时间	96.5 ns
漏源极电压Vds	1724 pF @ 25 V
晶体管材料	Si
每片芯片元件数目	1 Ohms
最低工作温度	-55 °C
宽度	4.93mm
长度	10.71mm
高度	16.13mm
正向跨导	14.8S
正向二极管电压	1.4V
封装/外壳	10.71 x 4.93 x 16.13mm
最高工作温度	+150 °C