参数	值
产品	未分类
型号编码	MDS5652URH
说明	未分类   SOIC 5mm 5x4x1.5mm
品牌	MAGNACHIP
起订量	0
最小包	0
现货	824 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	7.5 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	35 m0hms
栅极电压Vgs	3V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	SOIC
引脚数目	8
晶体管配置	隔离式
FET类型	增强
功率	2W
典型接通延迟时间	3.8 ns
典型关断延迟时间	17.4 ns
漏源极电压Vds	460 pF @ 30 V
晶体管材料	Si
每片芯片元件数目	2
最低工作温度	-55 °C
宽度	4mm
长度	5mm
高度	1.50mm
正向跨导	25S
正向二极管电压	0.75V
封装/外壳	5 x 4 x 1.5mm
最高工作温度	+150 °C