参数 | 值 |
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产品 | 集成电路(芯片) |
型号编码 | L6398DTR |
说明 | 集成电路(芯片) 8-SO SO-8 |
品牌 | ST(意法半导体) |
起订量 | 2500 |
最小包 | 2500 |
现货 | 5127 [库存更新时间:2025-04-02] |
驱动配置 | 半桥 |
FET类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 |
栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压-电源 | 10 V ~ 20 V |
逻辑电压 -VIL,VIH | 1.1V,1.9V |
电流-峰值输出(灌入,拉出) | 290mA,430mA |
输入类型 | 反相,非反相 |
高压侧电压-最大值(自举) | 600V |
上升/下降时间(典型值) | 75ns,35ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
封装/外壳 | 8-SO |
封装/外壳 | SO-8 |
最大关闭延迟时间 | 200 ns |
输出电流 | 290 mA |
输出电压 | - 11 V to + 580 V |
FET类型 | High Voltage High and Low Side Driver |
上升时间 | 75 ns |
下降时间 | 35 ns |
电源电压-最大 | + 21 V |
电源电压-最小 | - 0.3 V |
电源电流 | 90 uA |
功率 | 4/5W |