参数 | 值 |
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产品 | 集成电路(芯片) |
型号编码 | L6392D |
说明 | 集成电路(芯片) 14-SO |
品牌 | ST(意法半导体) |
起订量 | 50 |
最小包 | 50 |
现货 | 226 [库存更新时间:2025-04-01] |
驱动配置 | 半桥 |
FET类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 |
栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压-电源 | 12.5 V ~ 20 V |
逻辑电压 -VIL,VIH | 1.1V,1.9V |
电流-峰值输出(灌入,拉出) | 290mA,430mA |
输入类型 | 非反相 |
高压侧电压-最大值(自举) | 600V |
上升/下降时间(典型值) | 75ns,35ns |
工作温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
封装/外壳 | 14-SO |