参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IXGT30N120B3D1
说明	通用MOSFET   TO-268
品牌	IXYS
起订量	30
最小包	30
现货	216 [库存更新时间：2025-04-08]
系列	GenX3™
IGBT类型	PT
电压-集射极击穿（最大值）	1200V
脉冲电流-集电极(Icm)	150A
不同 Vge，Ic时的 Vce（on）	3.5V @ 15V,30A
Pd-功率耗散(Max)	300W
开关能量	3.47mJ(开),2.16mJ(关)
输入类型	标准
25°C时Td（开/关）值	16ns/127ns
测试条件	960V,30A,5 欧姆,15V
反向恢复时间（trr）	100ns
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-268