参数	值
产品	未分类
型号编码	IXFP8N50P3
说明	未分类   TO-220AB 10.66mm 10.66x4.83x16mm
品牌	IXYS
起订量	0
最小包	0
现货	638 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	8 A
漏源极电压Vds	500 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	800 m0hms
栅极电压Vgs	5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-220AB
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	180W
典型接通延迟时间	13 ns
典型关断延迟时间	29 ns
漏源极电压Vds	705 pF @ 25 V
晶体管材料	Si
系列	HiperFET, Polar3
宽度	4.83mm
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	10.66mm
高度	16mm
封装/外壳	10.66 x 4.83 x 16mm
每片芯片元件数目	1 Ohms