参数	值
产品	未分类
型号编码	IXFP80N25X3
说明	未分类   TO-220 10.66x4.83x16mm 10.66mm
品牌	IXYS
起订量	0
最小包	0
现货	638 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	80 A
漏源极电压Vds	250 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	16 m0hms
栅极电压Vgs	4.5V
最小栅阈值电压	2.5V
栅极电压Vgs	±20 V
封装/外壳	TO-220
引脚数目	3 + Tab
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	390W
正向跨导	64S
最低工作温度	-55 °C
正向二极管电压	1.4V
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	10.66 x 4.83 x 16mm
宽度	4.83mm
系列	HiperFET
漏源极电压Vds	5430 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	65 ns
典型接通延迟时间	30 ns
长度	10.66mm
高度	16mm
最高工作温度	+150 °C