参数	值
产品	未分类
型号编码	IXFH110N10P
说明	未分类   TO-247 16.26mm 16.26x5.3x21.46mm
品牌	IXYS
起订量	0
最小包	0
现货	635 [库存更新时间：2026-01-21]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	110 A
漏源极电压Vds	100 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	15 m0hms
栅极电压Vgs	5V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-247
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	480000 mW
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	16.26mm
高度	21.46mm
系列	HiperFET, Polar
宽度	5.3mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	3550 pF@ 25 V
典型关断延迟时间	65 ns
典型接通延迟时间	21 ns
封装/外壳	16.26 x 5.3 x 21.46mm