参数	值
产品	未分类
型号编码	IXFB82N60Q3
说明	未分类   PLUS264 20.29mm 20.29x5.31x26.59mm
品牌	IXYS
起订量	25
最小包	25
现货	318 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	82 A
漏源极电压Vds	600V
Rds On(Max)@Id,Vgs	75 m0hms
栅极电压Vgs	6.5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	PLUS264
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	1.56 kW
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	20.29mm
高度	26.59mm
系列	HiperFET, Q3-Class
宽度	5.31mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	13500 pF@ 25 V
典型关断延迟时间	60 ns
典型接通延迟时间	40 ns
封装/外壳	20.29 x 5.31 x 26.59mm