参数	值
产品	未分类
型号编码	IXFN44N80Q3
说明	未分类   SOT-227B 38.23mm 38.23x25.07x9.6mm
品牌	IXYS
起订量	1
最小包	1
现货	270 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	37 A
漏源极电压Vds	800 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	190 m0hms
栅极电压Vgs	6.5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	SOT-227B
晶体管配置	单
引脚数目	4
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	780 W
典型接通延迟时间	45 ns
典型关断延迟时间	63 ns
漏源极电压Vds	10950 pF@ 25 V
晶体管材料	Si
系列	HiperFET, Q3-Class
宽度	25.07mm
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	38.23mm
高度	9.6mm
封装/外壳	38.23 x 25.07 x 9.6mm
每片芯片元件数目	1 Ohms