IXFN44N80Q3

IXYS · 未分类

型号参数与资料

型号
IXFN44N80Q3
品牌
IXYS
类别
未分类
FET类型N-Channel
连续漏极电流Id37 A
漏源极电压Vds800 V
Rds On(Max)@Id,Vgs190 m0hms
栅极电压Vgs6.5V
栅极电压Vgs±30V
封装/外壳SOT-227B
晶体管配置单
引脚数目4
FET类型增强
类别功率 MOSFET
功率780 W
典型接通延迟时间45 ns
典型关断延迟时间63 ns
漏源极电压Vds10950 pF@ 25 V
晶体管材料Si
系列HiperFET, Q3-Class
宽度25.07mm
最低工作温度-55 °C
最高工作温度+150 °C
长度38.23mm
高度9.6mm
封装/外壳38.23 x 25.07 x 9.6mm
每片芯片元件数目1 Ohms

未分类   SOT-227B 38.23mm 38.23x25.07x9.6mm

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

本页保留型号资料,不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。