参数 | 值 |
---|---|
产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | IXFA4N100P |
说明 | 通用MOSFET TO-263-3,D²Pak,TO-263AB TO-263AA |
品牌 | IXYS |
起订量 | 50 |
最小包 | 50 |
现货 | 368 [库存更新时间:2025-04-01] |
系列 | HiPerFET™,PolarP2™ |
FET类型 | N-Channel |
连续漏极电流Id | 4A(Tc) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 26nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1456pF @ 25V |
栅极电压Vgs | ±20V |
Pd-功率耗散(Max) | 150W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.3 Ohms@2A,10V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
封装/外壳 | TO-263AA |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 1000V |
连续漏极电流Id | 4A |