| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 集成电路(芯片) |
| 型号编码 | IXDN602SIATR |
| 说明 | 集成电路(芯片) 8-SOIC |
| 品牌 | IXYS |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 142 [库存更新时间：2025-11-14] |
| 驱动配置 | 低压侧 |
| FET类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 35 V |
| 逻辑电压 -VIL，VIH | 0.8V,3V |
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 2A,2A |
| 输入类型 | 非反相 |
| 上升/下降时间（典型值） | 7.5ns,6.5ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-SOIC |
IC普拉斯 元器件现货