参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IRLR3110ZPBF
说明	通用MOSFET   D-Pak
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	173 [库存更新时间：2025-04-14]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 100µA
栅极电压Vgs	±16V
Pd-功率耗散(Max)	140W(Tc)
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	48nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	3980pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs	14mΩ@38A,10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	63A
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	48nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3980pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
封装/外壳	D-Pak