参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IRL6342PBF
说明	通用MOSFET   8-SO SO8 SOIC 5mm 5x4x1.5mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	294 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	9.9A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.1V @ 10µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	11nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1025pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	14.6 毫欧 @ 9.9A,4.5V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SO
封装/外壳	SO8
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	9.9 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	19 m0hms
栅极电压Vgs	1.1V
最小栅阈值电压	0.5V
栅极电压Vgs	-12 V、+12 V
封装/外壳	SOIC
引脚数目	8
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	2.5W
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	5mm
高度	1.50mm
系列	HEXFET
宽度	4mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	1025 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	33 ns
典型接通延迟时间	6 ns
封装/外壳	5 x 4 x 1.5mm