参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRL2203NPBF
说明	功率MOSFET   TO-220AB 10mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	175 [库存更新时间：2025-04-07]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	60nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3290pF @ 25V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	60nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	3290pF @ 25V
封装/外壳	TO-220AB
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	100A
Rds On(Max)@Id,Vgs	10mΩ
栅极电压Vgs	16V
Qg-栅极电荷	40nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	130W
高度	15.65mm
长度	10mm
FET类型	N-Channel
宽度	4.4mm