参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRL100HS121
说明	功率MOSFET   6-PQFN(2x2)
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	4000
最小包	4000
现货	8289 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	11A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.3V @ 10µA
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V
栅极电压Vgs	±20V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	50V
Pd-功率耗散(Max)	11.5W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	42mΩ@6.7A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
湿气敏感性等级（MSL）	1(无限)
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	440pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	5.6nC @ 4.5V
封装/外壳	6-PQFN(2x2)