参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRFS3306TRLPBF
说明	功率MOSFET   D2PAK 10mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	121 [库存更新时间：2025-04-02]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	120nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4520pF @ 50V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 150µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	120nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	4520pF @ 50V
封装/外壳	D2PAK
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	160A
Rds On(Max)@Id,Vgs	3.3mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	85nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	230W
高度	4.4mm
长度	10mm
FET类型	N-Channel
宽度	9.25mm
正向跨导 - 最小值	230S
下降时间	77ns
上升时间	76ns
典型关闭延迟时间	40ns
典型接通延迟时间	15ns