参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | IRFR3707ZTRPBF |
说明 | 功率MOSFET D-Pak |
起订量 | 2 |
最小包 | 2 |
现货 | 414 [库存更新时间:2024-10-22] |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.25V @ 25µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14nC @ 4.5V |
栅极电压Vgs | ±20V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1150pF @ 15V |
Pd-功率耗散(Max) | 50W(Tc) |
工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
系列 | HEXFET® |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.25V @ 25µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14nC @ 4.5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1150pF @ 15V |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 9.5mΩ@15A,10V |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 30V |
连续漏极电流Id | 56A |
封装/外壳 | D-Pak |