参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | IRFR15N20DTRLP |
说明 | 通用MOSFET TO-252-3 DPAK D-Pak |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 135 [库存更新时间:2025-04-02] |
系列 | HEXFET® |
连续漏极电流Id | 17A(Tc) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 41nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 910pF @ 25V |
栅极电压Vgs | ±30V |
Pd-功率耗散(Max) | 3W(Ta),140W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 165mΩ@10A,10V |
工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
封装/外壳 | TO-252-3 |
封装/外壳 | DPAK |
FET类型 | N-Channel |
连续漏极电流Id | 17A |
漏源极电压Vds | 200V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 41nC |
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 910pF |
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds | 25V |
封装/外壳 | D-Pak |