参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRFL024N
说明	功率MOSFET   SOT223
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	80
最小包	80
现货	448 [库存更新时间：2024-04-24]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	55V
连续漏极电流Id	2.8A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	18.3nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	400pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	1W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	75mΩ@2.8A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SOT223