参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRFHS9351TRPBF
说明	功率MOSFET   6-PQFN(2x2)
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	649 [库存更新时间：2025-04-11]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.4V @ 10µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	3.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	160pF @ 25V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®
Rds On(Max)@Id,Vgs	170mΩ@3.1A,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.4V @ 10µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	3.7nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	160pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	1.4W
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	2.3A
封装/外壳	6-PQFN(2x2)