参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IRFH5302TR2PBF
说明	通用MOSFET   8-PowerVDFN PQFN PQFN(5x6)
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	176 [库存更新时间：2025-04-10]
系列	HEXFET®
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	32A(Ta),100A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	76nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	4400pF @ 15V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	3.6W(Ta),100W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.1mΩ@50A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	8-PowerVDFN
封装/外壳	PQFN
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	32A
漏源极电压Vds	30V
封装/外壳	PQFN(5x6)