参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRFB7434GPBF
说明	功率MOSFET   10mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2291 [库存更新时间：2025-04-17]
漏源极电压Vds	40V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.9V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	324nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	10820pF @ 25V
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	317A
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.25mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	324nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	294W
高度	15.65mm
长度	10mm
FET类型	N-Channel
宽度	4.4mm
正向跨导 - 最小值	211S
下降时间	68ns
典型关闭延迟时间	115ns
典型接通延迟时间	24ns
工作温度	-55°C~175°C