参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRFB42N20D
说明	功率MOSFET   TO220
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2288 [库存更新时间：2024-05-19]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	200V
连续漏极电流Id	44A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	140nC @ 10V
栅极电压Vgs	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3430pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	2.4W(Ta),330W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	55mΩ@26A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO220