参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IRF9Z34NLPBF
说明	通用MOSFET   TO-262 TO262 I2PAK(TO-262) 10.67mm 10.67x4.83x9.65mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	293 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	55V
连续漏极电流Id	19A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	35nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	620pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	3.8W(Ta),68W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	100 毫欧 @ 10A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	TO-262
封装/外壳	TO262
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	14 A
漏源极电压Vds	55 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	100 m0hms
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	I2PAK (TO-262)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	68W
最高工作温度	+175 °C
长度	10.67mm
最低工作温度	-55 °C
高度	9.65mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
正向跨导	4.2S
正向二极管电压	1.6V
系列	HEXFET
封装/外壳	10.67 x 4.83 x 9.65mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	620 pF @ -25 V
典型关断延迟时间	30 ns
典型接通延迟时间	13 ns
宽度	4.83mm