| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | IRF9332TRPBF |
| 说明 | 功率MOSFET 5mm |
| 起订量 | 4 |
| 最小包 | 4 |
| 现货 | 418 [库存更新时间:2026-01-03] |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 25µA |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 41nC |
| 电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1270pF |
| 电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds | 25V |
| 连续漏极电流Id | 9.8A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 28.1mΩ |
| 最小栅阈值电压 | 1.3V |
| 引脚数目 | 8 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns |
| 典型关断延迟时间 | 73 ns |
| 高度 | 1.50mm |
| 系列 | HEXFET |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms |
| 宽度 | 4mm |
| 长度 | 5mm |
| 正向跨导 | 36S |
| 正向二极管电压 | 1.2V |


