参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IRF9321PBF
说明	通用MOSFET   SO8 SOIC 8-SO
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	153 [库存更新时间：2025-04-17]
系列	HEXFET®
连续漏极电流Id	15A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.4V @ 50µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	98nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2590pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	7.2mΩ@15A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SO8
封装/外壳	SOIC
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	15A
漏源极电压Vds	30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	98nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2590pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
封装/外壳	8-SO