参数	值
产品	未分类
型号编码	IRF8513TRPBF
说明	未分类   SO8 8-SO
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	293 [库存更新时间：2024-05-09]
FET类型	2N-Channel
FET类型	逻辑电平门
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	8A,11A
Rds On(Max)@Id,Vgs	15.5 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	8.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	766pF @ 15V
功率	1.5W,2.4W
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	SO8
封装/外壳	8-SO