参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IRF8313PBF
说明	通用MOSFET   SO8 SOIC 8-SO
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	178 [库存更新时间：2025-04-07]
FET类型	2N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs	15.5mΩ@9.7A,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 25µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	90nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	760pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)	2W
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	SO8
封装/外壳	SOIC
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	9.7A
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	9.7A
封装/外壳	8-SO