参数	值
产品	未分类
型号编码	IRF7353D1PBF
说明	未分类   8-SO 8-SOIC
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	293 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	6.5A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	33nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	650pF @ 25V
FET类型	肖特基二极管(隔离式)
功率	2W
Rds On(Max)@Id,Vgs	32 毫欧 @ 5.8A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SO
封装/外壳	8-SOIC