参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF640NPBF
说明	功率MOSFET   TO-220AB
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	293 [库存更新时间：2024-05-17]
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	67nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1160pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	150W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	150mΩ@11A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	18A
漏源极电压Vds	200V
封装/外壳	TO-220AB