参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | IRF200S234 |
说明 | 功率MOSFET |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 800 |
最小包 | 800 |
现货 | 1888 [库存更新时间:2025-04-10] |
通道数量 | 1Channel |
漏源极电压Vds | 200V |
连续漏极电流Id | 90A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 14mΩ |
栅极电压Vgs | 20V |
Qg-栅极电荷 | 162nC |
配置 | Single |
Pd-功率耗散(Max) | 417W |
FET类型 | N-Channel |
正向跨导 - 最小值 | 96S |
下降时间 | 37ns |
上升时间 | 58ns |
典型关闭延迟时间 | 67ns |
典型接通延迟时间 | 21ns |
工作温度 | -55°C~175°C |