参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | IRF1010EZ |
说明 | 功率MOSFET TO220 |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 292 [库存更新时间:2025-04-02] |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 60V |
连续漏极电流Id | 75A(Tc) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 100µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 86nC @ 10V |
栅极电压Vgs | ±20V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2810pF @ 25V |
Pd-功率耗散(Max) | 140W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.5mΩ@51A,10V |
工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
封装/外壳 | TO220 |