型号参数与资料
- 型号
- IRF100B201
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 功率MOSFET
| 系列 | HEXFET®,StrongIRFET™ |
|---|---|
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 255nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 9500pF @ 50V |
| Pd-功率耗散(Max) | 441W(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
| RoHS compliant | yes |
| Moisture Level | NA |
| 漏源极电压Vds | 100V |
| 封装/外壳 | TO-220 |
| Tj max | 175.0°C |
| QG | 170.0nC |
| Budgetary Price €/1k | 1.24 |
| Ptot max | 441.0W |
| FET类型 | N-Channel |
| Qgd | 45.0nC |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.2mΩ |
| 栅极电压Vgs | 20V |
| Mounting | THT |
| RthJC max | 0.34K/W |
| 连续漏极电流Id | 136A |
功率MOSFET TO-220
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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