参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPW65R110CFD
说明	功率MOSFET   16.13mm PG-TO247-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	321 [库存更新时间：2025-04-14]
通道数量	1Channel
Qg-栅极电荷	118nC
配置	Single
高度	21.1mm
长度	16.13mm
系列	CoolMOSCFD2
宽度	5.21mm
下降时间	6ns
上升时间	11ns
典型关闭延迟时间	68ns
典型接通延迟时间	16ns
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3240pF @ 100V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	277.8W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	110mΩ@12.7A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	31.2A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 1.3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	118nC @ 10V
漏源极电压Vds	650V
封装/外壳	PG-TO247-3