参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPW65R080CFD
说明	功率MOSFET   16.13mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1
最小包	240
现货	398 [库存更新时间：2025-04-02]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	5030pF @ 100V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 1.76mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	170nC @ 10V
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	43.3A
Rds On(Max)@Id,Vgs	72mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	167nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	391W
高度	21.1mm
长度	16.13mm
系列	CoolMOSCFD2
FET类型	N-Channel
宽度	5.21mm
下降时间	6ns
上升时间	18ns
典型关闭延迟时间	85ns
典型接通延迟时间	20ns