参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPW60R299CPFKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO247-3 PG-TO247-3 TO-247 16.03mm 16.03x5.16x21.1mm
起订量	240
最小包	240
现货	889 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	11A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 440µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	29nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1100pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	96W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	299 毫欧 @ 6.6A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO247-3
封装/外壳	PG-TO247-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	11 A
漏源极电压Vds	650 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	299 m0hms
栅极电压Vgs	3.5V
最小栅阈值电压	2.5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-247
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	96W
最高工作温度	+150 °C
最低工作温度	-55 °C
长度	16.03mm
高度	21.1mm
正向二极管电压	1.2V
系列	CoolMOS CP
每片芯片元件数目	1 Ohms
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	1100 pF @ 100 V
典型关断延迟时间	40 ns
典型接通延迟时间	10 ns
宽度	5.16mm
封装/外壳	16.03 x 5.16 x 21.1mm